IXTM50N20
Tootja Toote Number:

IXTM50N20

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTM50N20-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 200V 50A TO204AE
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12819638
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXTM50N20 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
GigaMOS™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-204AE
Pakett / ümbris
TO-204AE
Põhitoote number
IXTM50

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
IXT(H,M)50N20
Tehnilised lehed
IXTM50N20
HTML andmeleht
IXTM50N20-DG

Lisainfo

Standardpakett
20

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
IRFP260NPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
12055
DiGi OSANUMBER
IRFP260NPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.72
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
littelfuse

IXFK120N30P3

MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA

littelfuse

IXFX98N50P3

MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247-3

littelfuse

IXFA56N30X3

MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA

littelfuse

IXFN110N60P3

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B