IXTL2N470

Tootja Toote Number:

IXTL2N470

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTL2N470-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 4700 V 2A (Tc) 220W (Tc) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™

Inventuur:

61 tk Uus Originaal Laos

12821125

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXTL2N470 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

4700 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

2A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

20Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

180 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

6860 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

220W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

ISOPLUSi5-Pak™

Pakett / ümbris

ISOPLUSi5-PAK™

Põhitoote number

IXTL2

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

-IXTL2N470

Standardpakett

25

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXFX250N10P

MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247-3

littelfuse

IXFQ60N60X

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

littelfuse

IXFA20N50P3

MOSFET N-CH 500V 20A TO263

littelfuse

IXFP38N30X3M

MOSFET N-CH 300V 38A TO220