Tootja Toote Number:
IXTK90N15
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTK90N15-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 150V 90A TO264
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 150 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Inventuur:
12913848
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTK90N15 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
MegaMOS™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
150 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
16mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6400 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
390W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-264 (IXTK)
Pakett / ümbris
TO-264-3, TO-264AA
Põhitoote number
IXTK90
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SI7478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
IXFQ30N60X
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
