Tootja Toote Number:
IXTH64N65X
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTH64N65X-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventuur:
12821646
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTH64N65X Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
Ultra X
Toote olek
Last Time Buy
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
64A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
51mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
5500 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
890W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247 (IXTH)
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IXTH64
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
-IXTH64N65X
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPW60R060P7XKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
60
DiGi OSANUMBER
IPW60R060P7XKSA1-DG
ÜHIKPRICE
3.01
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FCH47N60N
TOOTJA
Fairchild Semiconductor
KOGUS SAADAVAL
1235
DiGi OSANUMBER
FCH47N60N-DG
ÜHIKPRICE
7.96
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXTH62N65X2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
10
DiGi OSANUMBER
IXTH62N65X2-DG
ÜHIKPRICE
6.25
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTN550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
IXTA200N055T2
MOSFET N-CH 55V 200A TO263
IXTH3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO247