Tootja Toote Number:
IXTA90N15T
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXTA90N15T-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 150V 90A TO263
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 150 V 90A (Tc) 455W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventuur:
12914774
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXTA90N15T Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
Trench
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
150 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
20mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4100 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
455W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263AA
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
IXTA90
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
SQM85N15-19_GE3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
SQM85N15-19_GE3-DG
ÜHIKPRICE
1.54
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IPB200N15N3GATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
1774
DiGi OSANUMBER
IPB200N15N3GATMA1-DG
ÜHIKPRICE
1.30
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SUM85N15-19-E3
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
875
DiGi OSANUMBER
SUM85N15-19-E3-DG
ÜHIKPRICE
2.60
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SI3415-TP
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
SI4427BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SO
SI2323DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
