IXTA10P50P

Tootja Toote Number:

IXTA10P50P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXTA10P50P-DG

Kirjeldus:

MOSFET P-CH 500V 10A TO263

Üksikasjalik kirjeldus:

P-Channel 500 V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12909367

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXTA10P50P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

Polar

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

P-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

500 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

10A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

1Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

50 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2840 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

300W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-263AA

Pakett / ümbris

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Põhitoote number

IXTA10

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay-siliconix

IRFD224PBF

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP

vishay-siliconix

IRF3205ZSTRL

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBC40S

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

IXFL60N60

MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264