Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXKR40N60C
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXKR40N60C-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 38A (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventuur:
16 tk Uus Originaal Laos
12914352
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXKR40N60C Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
CoolMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
70mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 3mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
-
Töötemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
ISOPLUS247™
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IXKR40
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IXKR40N60C
Tehnilised lehed
IXKR40N60C
HTML andmeleht
IXKR40N60C-DG
Lisainfo
Muud nimed
-IXKR40N60C
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STW48NM60N
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
582
DiGi OSANUMBER
STW48NM60N-DG
ÜHIKPRICE
8.75
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FCH072N60
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
39
DiGi OSANUMBER
FCH072N60-DG
ÜHIKPRICE
4.53
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
FCH070N60E
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
473
DiGi OSANUMBER
FCH070N60E-DG
ÜHIKPRICE
5.38
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SI7411DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 7.5A PPAK1212-8
SI5482DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SI8806DB-T2-E1
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
SI4108DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC