Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXFX15N100
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFX15N100-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 1000 V 15A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12820093
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFX15N100 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
HiPerFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
1000 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
700mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
360W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PLUS247™-3
Pakett / ümbris
TO-247-3 Variant
Põhitoote number
IXFX15
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IXF(H,T,X)1(4,5)N100
Tehnilised lehed
IXFX15N100
HTML andmeleht
IXFX15N100-DG
Lisainfo
Muud nimed
IXFX15N100-NDR
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STW12N120K5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
8
DiGi OSANUMBER
STW12N120K5-DG
ÜHIKPRICE
5.41
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STW13NK100Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
STW13NK100Z-DG
ÜHIKPRICE
6.20
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
SCT10N120
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
SCT10N120-DG
ÜHIKPRICE
5.62
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXFH15N100Q3
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXFH15N100Q3-DG
ÜHIKPRICE
10.99
ASENDAMISE TüÜP
Direct
Osa number
APT18M100B
TOOTJA
Microchip Technology
KOGUS SAADAVAL
27
DiGi OSANUMBER
APT18M100B-DG
ÜHIKPRICE
7.03
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTQ26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
IXTQ36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO3P
IXTK90P20P
MOSFET P-CH 200V 90A TO264
IXFT80N15Q
MOSFET N-CH 150V 80A TO268