IXFT9N80Q

Tootja Toote Number:

IXFT9N80Q

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFT9N80Q-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 800V 9A TO268

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventuur:

Küsi hinda veebis

12822816

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXFT9N80Q Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

-

Seeria

HiPerFET™, Q Class

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

800 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

9A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

1.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

56 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

2200 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

180W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-268AA

Pakett / ümbris

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Põhitoote number

IXFT9N80

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

1

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

infineon-technologies

IPW65R190CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3

infineon-technologies

IRL3705NPBF

MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB

littelfuse

IXFT94N30T

MOSFET N-CH 300V 94A TO268

infineon-technologies

IRFU13N15D

MOSFET N-CH 150V 14A IPAK