IXFT30N60P
Tootja Toote Number:

IXFT30N60P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFT30N60P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12820400
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXFT30N60P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
HiPerFET™, Polar
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-268AA
Pakett / ümbris
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Põhitoote number
IXFT30

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
IXF(H,T,V)30N60P/PS
Tehnilised lehed
IXFT30N60P
HTML andmeleht
IXFT30N60P-DG

Lisainfo

Standardpakett
30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatiivsed mudelid

Osa number
IXFT36N60P
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXFT36N60P-DG
ÜHIKPRICE
8.30
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
littelfuse

IXTA80N075L2

MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA

littelfuse

IXTA38N15T

MOSFET N-CH 150V 38A TO263

littelfuse

IXTP02N120P

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB

littelfuse

IXFQ140N20X3

MOSFET N-CH 200V 140A TO3P