IXFT140N10P
Tootja Toote Number:

IXFT140N10P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFT140N10P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 140A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventuur:

12908490
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXFT140N10P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
HiPerFET™, Polar
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
140A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
11mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4700 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
600W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-268AA
Pakett / ümbris
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Põhitoote number
IXFT140

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett
30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
littelfuse

IXFX55N50

MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3

vishay-siliconix

IRLL1905TR

MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223

littelfuse

IXTQ30N50P

MOSFET N-CH 500V 30A TO3P

vishay-siliconix

IRF9Z24S

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK