Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXFR66N50Q2
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFR66N50Q2-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12820246
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
t
A
j
K
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFR66N50Q2 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
HiPerFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
500 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
85mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
9125 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
ISOPLUS247™
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IXFR66
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IXFR66N50Q2
Tehnilised lehed
IXFR66N50Q2
HTML andmeleht
IXFR66N50Q2-DG
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
APT56F50B2
TOOTJA
Microchip Technology
KOGUS SAADAVAL
19
DiGi OSANUMBER
APT56F50B2-DG
ÜHIKPRICE
10.15
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IXFR80N50Q3
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
2
DiGi OSANUMBER
IXFR80N50Q3-DG
ÜHIKPRICE
26.01
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXTA7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
IXTV98N20T
MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
IXTP1R6N50P
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
IXTT10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268