IXFR27N80Q
Tootja Toote Number:

IXFR27N80Q

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFR27N80Q-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12905700
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXFR27N80Q Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
HiPerFET™, Q Class
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
300mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
7600 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
ISOPLUS247™
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IXFR27

Lisainfo

Standardpakett
30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
diodes

ZVP2106ASTZ

MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE

fairchild-semiconductor

FQPF9N50YDTU

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3

nexperia

BSS192,115

MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89

vishay-siliconix

IRFR020PBF

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK