IXFP3N120

Tootja Toote Number:

IXFP3N120

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFP3N120-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventuur:

5212 tk Uus Originaal Laos

12819858

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXFP3N120 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

HiPerFET™

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

1200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

3A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

4.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

39 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1050 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

200W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220-3

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

IXFP3

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXFX14N100

MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3

littelfuse

IXTA120N04T2

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

littelfuse

IXTV230N085T

MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220

IXFH67N10Q

MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD