Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXFN260N17T
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFN260N17T-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 170V 245A SOT227B
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 170 V 245A (Tc) 1090W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12821329
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFN260N17T Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
GigaMOS™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
170 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
245A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
24000 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1090W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Chassis Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-227B
Pakett / ümbris
SOT-227-4, miniBLOC
Põhitoote number
IXFN260
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IXFN260N17T
Tehnilised lehed
IXFN260N17T
HTML andmeleht
IXFN260N17T-DG
Lisainfo
Standardpakett
10
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IXFN320N17T2
TOOTJA
IXYS
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IXFN320N17T2-DG
ÜHIKPRICE
34.98
ASENDAMISE TüÜP
Direct
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFH150N15P
MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
IXTT96N15P
MOSFET N-CH 150V 96A TO268
IXTT30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
IXTH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247