Tootja Toote Number:
IXFL82N60P
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFL82N60P-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS264
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 55A (Tc) 625W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Inventuur:
25 tk Uus Originaal Laos
12821858
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFL82N60P Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
HiPerFET™, Polar
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
55A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
78mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
625W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
ISOPLUS264™
Pakett / ümbris
TO-264-3, TO-264AA
Põhitoote number
IXFL82
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
25
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFQ120N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
IXTA3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
