IXFK20N120P

Tootja Toote Number:

IXFK20N120P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFK20N120P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventuur:

3 tk Uus Originaal Laos

12910081

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXFK20N120P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

HiPerFET™, Polar

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

1200 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

20A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

570mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

193 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

11100 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

780W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-264AA (IXFK)

Pakett / ümbris

TO-264-3, TO-264AA

Põhitoote number

IXFK20

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IXF(K,X)20N120P

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

-IXFK20N120P

Standardpakett

25

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

vishay-siliconix

IRFPS38N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247

VMO150-01P1

MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2

vishay-siliconix

IRF9620STRR

MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK

littelfuse

IXTA160N085T

MOSFET N-CH 85V 160A TO263