Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IXFH6N90
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFH6N90-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12819044
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFH6N90 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
HiPerFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
900 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247AD (IXFH)
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IXFH6
Lisainfo
Muud nimed
IXFH6N90-NDR
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
Not Applicable
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STW7NK90Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
86
DiGi OSANUMBER
STW7NK90Z-DG
ÜHIKPRICE
1.75
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STW9NK90Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
411
DiGi OSANUMBER
STW9NK90Z-DG
ÜHIKPRICE
2.00
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFPF50PBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
466
DiGi OSANUMBER
IRFPF50PBF-DG
ÜHIKPRICE
3.01
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
STW11NK90Z
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
550
DiGi OSANUMBER
STW11NK90Z-DG
ÜHIKPRICE
3.17
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFK210N17T
MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
IXFT74N20
MOSFET N-CH 200V 74A TO268
IXFK15N100Q
MOSFET N-CH 1000V 15A TO264AA
IXFT12N90Q
MOSFET N-CH 900V 12A TO268