Tootja Toote Number:
IXFE180N10
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFE180N10-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 176A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventuur:
12820663
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFE180N10 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
HiPerFET™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
176A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Chassis Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-227B
Pakett / ümbris
SOT-227-4, miniBLOC
Põhitoote number
IXFE180
Lisainfo
Standardpakett
10
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFN50N120SIC
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
IXFP30N25X3
MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
IXTQ110N055P
MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
