IXFA7N80P

Tootja Toote Number:

IXFA7N80P

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFA7N80P-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 800V 7A TO263

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 800 V 7A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

Inventuur:

257 tk Uus Originaal Laos

12819507

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IXFA7N80P Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Littelfuse

Pakendamine

Tube

Seeria

HiPerFET™, Polar

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

800 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

7A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

1.44Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

32 nC @ 10 V

VGS (max)

±30V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

1890 pF @ 25 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

200W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

TO-263AA (IXFA)

Pakett / ümbris

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Põhitoote number

IXFA7N80

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IXF(A,I,P)7N80P

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

littelfuse

IXTA05N100HV

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263

littelfuse

IXTX40P50P

MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3

littelfuse

IXTH75N15

MOSFET N-CH 150V 75A TO247

littelfuse

IXTC102N20T

MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220