Tootja Toote Number:
IXFA5N100P
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IXFA5N100P-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventuur:
12906565
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IXFA5N100P Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
HiPerFET™, Polar
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
1000 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1830 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
250W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263AA (IXFA)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
IXFA5N100
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFBF30STRLPBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
911
DiGi OSANUMBER
IRFBF30STRLPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.50
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRFR9210
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IXFP5N100P
MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
IRF730S
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
