IXFA3N120
Tootja Toote Number:

IXFA3N120

Product Overview

Tootja:

IXYS

DiGi Electronics Osanumber:

IXFA3N120-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12821245
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IXFA3N120 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
Tube
Seeria
HiPerFET™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
1200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
200W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-263AA (IXFA)
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
IXFA3

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
IXFA3N120, IXFP3N120

Lisainfo

Muud nimed
-IXFA3N120
Standardpakett
50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
littelfuse

IXFB300N10P

MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264

littelfuse

IXFH340N075T2

MOSFET N-CH 75V 340A TO247AD

littelfuse

IXTQ72N30T

MOSFET N-CH 300V 72A TO3P

littelfuse

IXFT80N085

MOSFET N-CH 85V 80A TO268