Tootja Toote Number:
IRFP250
Product Overview
Tootja:
IXYS
DiGi Electronics Osanumber:
IRFP250-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventuur:
12819073
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRFP250 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Littelfuse
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
85mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2970 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
190W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247AD
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IRFP25
Lisainfo
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IRFP250MPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
8703
DiGi OSANUMBER
IRFP250MPBF-DG
ÜHIKPRICE
0.99
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFP250PBF
TOOTJA
Vishay Siliconix
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
IRFP250PBF-DG
ÜHIKPRICE
1.69
ASENDAMISE TüÜP
Similar
Osa number
IRFP250NPBF
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
8516
DiGi OSANUMBER
IRFP250NPBF-DG
ÜHIKPRICE
1.23
ASENDAMISE TüÜP
Similar
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IXFT180N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN140N30P
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
