Tootja Toote Number:
IRL3705ZPBF
Product Overview
Tootja:
International Rectifier
DiGi Electronics Osanumber:
IRL3705ZPBF-DG
Kirjeldus:
IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventuur:
5004 tk Uus Originaal Laos
12946432
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRL3705ZPBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Pakendamine
Bulk
Seeria
HEXFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
55 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
8mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
60 nC @ 5 V
VGS (max)
±16V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2880 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
130W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220AB
Pakett / ümbris
TO-220-3
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Lisainfo
Muud nimed
2156-IRL3705ZPBF
ROCIRFIRL3705ZPBF
Standardpakett
330
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRFHS8242TRPBF
IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
FDMS7672
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQPF22N30
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
