Tootja Toote Number:
SPW55N80C3FKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
SPW55N80C3FKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventuur:
450 tk Uus Originaal Laos
12807852
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SPW55N80C3FKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
CoolMOS™ C3
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
54.9A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
85mOhm @ 32.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 3.3mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
288 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
7520 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
500W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO247-3
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
SPW55N80
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
SP000849356
SPW55N80C3FKSA1-DG
448-SPW55N80C3FKSA1
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SPP100N03S203
MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
