Tootja Toote Number:
SPW16N50C3FKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
SPW16N50C3FKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventuur:
196 tk Uus Originaal Laos
12807790
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SPW16N50C3FKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
CoolMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
560 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
280mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 675µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
160W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO247-3-1
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
SPW16N50
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
SPW16N50C3XTIN-DG
2156-SPW16N50C3FKSA1
IFEINFSPW16N50C3FKSA1
SPW16N50C3IN-NDR
SPW16N50C3XK
SPW16N50C3IN
SPW16N50C3XTIN
SPW16N50C3
SPW16N50C3IN-DG
SP000014472
SPW16N50C3X
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SPP11N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
IRL3103L
MOSFET N-CH 30V 64A TO262
IRLMS6802TR
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
