Tootja Toote Number:
SPI15N65C3XKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
SPI15N65C3XKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventuur:
12807433
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
8VBn
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SPI15N65C3XKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
-
Seeria
CoolMOS™
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 675µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
156W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO262-3-1
Pakett / ümbris
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Põhitoote number
SPI15N
Tehnilised andmed ja dokumendid
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
SPI15N65C3-DG
SPI15N65C3
SP000681002
2156-SPI15N65C3XKSA1-IT
INFINFSPI15N65C3XKSA1
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
STI20N65M5
TOOTJA
STMicroelectronics
KOGUS SAADAVAL
1000
DiGi OSANUMBER
STI20N65M5-DG
ÜHIKPRICE
1.27
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
IPI60R125CPXKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
490
DiGi OSANUMBER
IPI60R125CPXKSA1-DG
ÜHIKPRICE
3.00
ASENDAMISE TüÜP
Direct
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRLML2030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
SPP80N03S2-03
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
IRLR024NTRL
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
