Tootja Toote Number:
SPB17N80C3ATMA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
SPB17N80C3ATMA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventuur:
1942 tk Uus Originaal Laos
12806895
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
SPB17N80C3ATMA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
CoolMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
800 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
227W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PG-TO263-3-2
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
SPB17N80
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
SPB17N80C3INCT
SPB17N80C3ATMA1DKR
SP000013370
SPB17N80C3XTINCT
SPB17N80C3INTR-NDR
SPB17N80C3INTR
SPB17N80C3ATMA1TR
SPB17N80C3XTINCT-DG
SPB17N80C3XT
SPB17N80C3
SPB17N80C3INDKR
SPB17N80C3INDKR-DG
SPB17N80C3XTINTR
SPB17N80C3ATMA1CT
SPB17N80C3INCT-NDR
SPB17N80C3T
SPB17N80C3INTR-DG
SPB17N80C3XTINTR-DG
SPB17N80C3INCT-DG
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
SPS03N60C3
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
SPD03N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
SPW17N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3