Tootja Toote Number:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IRLS4030-7PPBF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventuur:
12818562
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRLS4030-7PPBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
-
Seeria
HEXFET®
Toote olek
Discontinued at Digi-Key
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
190A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±16V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
11490 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
370W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
D2PAK (7-Lead)
Pakett / ümbris
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Tehnilised andmed ja dokumendid
Disaini ressursid
Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
SP001568682
IRLS40307PPBF
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPB039N10N3GATMA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
29647
DiGi OSANUMBER
IPB039N10N3GATMA1-DG
ÜHIKPRICE
1.22
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DN2535N3-G
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
IRF1312PBF
MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
