Tootja Toote Number:
IRFP90N20DPBF
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IRFP90N20DPBF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 200 V 94A (Tc) 580W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventuur:
574 tk Uus Originaal Laos
12806038
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRFP90N20DPBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
HEXFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
200 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
94A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
23mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
VGS (max)
±30V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
6040 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
580W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-247AC
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IRFP90
Tehnilised andmed ja dokumendid
Disaini ressursid
Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
SP001552070
IFEINFIRFP90N20DPBF
*IRFP90N20DPBF
2156-IRFP90N20DPBF
Standardpakett
25
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF540ZPBF
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
IRF6727MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRFS7762PBF
MOSFET N-CH 75V 85A D2PAK
