IRFB3077PBF

Tootja Toote Number:

IRFB3077PBF

Product Overview

Tootja:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Osanumber:

IRFB3077PBF-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventuur:

4119 tk Uus Originaal Laos

12806064

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IRFB3077PBF Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Infineon Technologies

Pakendamine

Tube

Seeria

HEXFET®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

75 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

120A (Tc)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

10V

Rds sees (max) @ id, vgs

3.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

220 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

9400 pF @ 50 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

370W (Tc)

Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Through Hole

Tarnija seadme pakett

TO-220AB

Pakett / ümbris

TO-220-3

Põhitoote number

IRFB3077

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

IRFB3077PBF Datasheet

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed

IFEINFIRFB3077PBF

2156-IRFB3077PBFINF

64-0091PBF-DG

SP001575594

64-0091PBF

Standardpakett

50

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

infineon-technologies

IPU50R3K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3

microchip-technology

VN0106N3-G-P003

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

IRF8252TRPBF

MOSFET N-CH 25V 25A 8SO

infineon-technologies

IRFU220N

MOSFET N-CH 200V 5A IPAK