Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Kongo DV
Argentina
Türgi
Rumeenia
Leedu
Norra
Austria
Angola
Slovakkia
LTALY
Soome
Valgevene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Montenegro
Vene
Belgia
Rootsi
Serbia
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Moldova
Saksamaa
Holland
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Prantsusmaa
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Portugal
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Hispaania
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IRF8736TRPBF
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IRF8736TRPBF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventuur:
11359 tk Uus Originaal Laos
12809107
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRF8736TRPBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
HEXFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
18A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
2315 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SO
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
IRF8736
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IRF8736PbF
Tehnilised lehed
IRF8736TRPBF
HTML andmeleht
IRF8736TRPBF-DG
Lisainfo
Muud nimed
IRF8736TRPBFCT
IRF8736TRPBFDKR
SP001551638
IRF8736TRPBFTR
2156-IRF8736TRPBFTR
Standardpakett
4,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
TN0106N3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
IRF6613TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SPD07N60S5T
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3