Tootja Toote Number:
IRF8707TRPBF
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IRF8707TRPBF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventuur:
27101 tk Uus Originaal Laos
12807045
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRF8707TRPBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
HEXFET®
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
11A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
11.9mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
760 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.5W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
8-SO
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Põhitoote number
IRF8707
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
SP001555780
IRF8707TRPBFDKR
IRF8707TRPBFCT
IRF8707TRPBFTR
Standardpakett
4,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRLR3103TRR
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
IRFR3710ZTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
SPD50N03S2L-06
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
