Tootja Toote Number:

IRF7862TRPBF

Product Overview

Tootja:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Osanumber:

IRF7862TRPBF-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 21A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventuur:

16061 tk Uus Originaal Laos

12805216

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

IRF7862TRPBF Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Infineon Technologies

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

HEXFET®

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

21A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 100µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

45 nC @ 4.5 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

4090 pF @ 15 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

2.5W (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

8-SO

Pakett / ümbris

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Põhitoote number

IRF7862

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

IRF7862TRPBF-DG

Lisainfo

Muud nimed

IRF7862TRPBFDKR

IRF7862TRPBFCT

IRF7862TRPBFTR

SP001577668

Standardpakett

4,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

infineon-technologies

IRF3709ZLPBF

MOSFET N-CH 30V 87A TO262

infineon-technologies

IPP80N06S2L09AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRL3705NS

MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK

infineon-technologies

IRFR3303TRR

MOSFET N-CH 30V 33A DPAK