Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IRF6637TR1PBF
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IRF6637TR1PBF-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 59A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12806141
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IRF6637TR1PBF Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
-
Seeria
HEXFET®
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
14A (Ta), 59A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1330 pF @ 15 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Töötemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
DIRECTFET™ MP
Pakett / ümbris
DirectFET™ Isometric MP
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IRF6637(TR)PbF
Tehnilised lehed
IRF6637TR1PBF
HTML andmeleht
IRF6637TR1PBF-DG
Lisainfo
Muud nimed
IRF6637TR1PBFTR
IRF6637TR1PBFCT
IRF6637TR1PBFDKR
SP001524760
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IPS13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
IRFR18N15DTR
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRFH7934TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
IRLR8726PBF
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK