IPW60R180P7XKSA1
Tootja Toote Number:

IPW60R180P7XKSA1

Product Overview

Tootja:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Osanumber:

IPW60R180P7XKSA1-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventuur:

237 tk Uus Originaal Laos
12806474
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IPW60R180P7XKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
CoolMOS™ P7
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
72W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO247-3
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IPW60R180

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht

Lisainfo

Muud nimed
SP001606058
2156-IPW60R180P7XKSA1
INFINFIPW60R180P7XKSA1
Standardpakett
30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
infineon-technologies

IRF7749L2TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET

infineon-technologies

IPT65R195G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF

infineon-technologies

SPB80N08S2-07

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

infineon-technologies

IRLR3717PBF

MOSFET N-CH 20V 120A DPAK