Tootja Toote Number:
IPW60R180P7XKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPW60R180P7XKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventuur:
237 tk Uus Originaal Laos
12806474
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPW60R180P7XKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
CoolMOS™ P7
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
72W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO247-3
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IPW60R180
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
SP001606058
2156-IPW60R180P7XKSA1
INFINFIPW60R180P7XKSA1
Standardpakett
30
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF7749L2TR1PBF
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
IPT65R195G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
SPB80N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
