IPW60R070P6XKSA1
Tootja Toote Number:

IPW60R070P6XKSA1

Product Overview

Tootja:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Osanumber:

IPW60R070P6XKSA1-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventuur:

240 tk Uus Originaal Laos
12823210
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

IPW60R070P6XKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
CoolMOS™ P6
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
53.5A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.72mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4750 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
391W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO247-3
Pakett / ümbris
TO-247-3
Põhitoote number
IPW60R070

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
IPW60R070P6
Tehnilised lehed
IPW60R070P6XKSA1
HTML andmeleht
IPW60R070P6XKSA1-DG

Lisainfo

Muud nimed
SP001114660
IPW60R070P6XKSA1-DG
448-IPW60R070P6XKSA1
Standardpakett
30

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
littelfuse

IXTQ160N10T

MOSFET N-CH 100V 160A TO3P

fairchild-semiconductor

FCI11N60

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

infineon-technologies

IRF6617TRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

infineon-technologies

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK