Tootja Toote Number:
IPP65R050CFD7AAKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPP65R050CFD7AAKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventuur:
12978134
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
X4Ef
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPP65R050CFD7AAKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
*
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
650 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
45A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.24mA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
102 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4975 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
227W (Tc)
Töötemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
IPP65R050
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
448-IPP65R050CFD7AAKSA1
SP003793132
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
IPWS65R050CFD7AXKSA1
TOOTJA
Infineon Technologies
KOGUS SAADAVAL
81
DiGi OSANUMBER
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
ÜHIKPRICE
6.44
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BUK7611-55A,118
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
IPW65R099CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
