Tootja Toote Number:
IPP041N04NGXKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPP041N04NGXKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventuur:
531 tk Uus Originaal Laos
12803696
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPP041N04NGXKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
OptiMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
40 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 45µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 20 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
94W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO220-3-1
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
IPP041
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
SP000680790
IPP041N04N G-DG
2156-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1-DG
IPP041N04N G
448-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NG
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
