Tootja Toote Number:
IPP023N08N5AKSA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPP023N08N5AKSA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventuur:
367 tk Uus Originaal Laos
12805804
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPP023N08N5AKSA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tube
Seeria
OptiMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
80 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 208µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
166 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
12100 pF @ 40 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
300W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
PG-TO220-3
Pakett / ümbris
TO-220-3
Põhitoote number
IPP023
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
IPP023N08N5AKSA1-DG
2156-IPP023N08N5AKSA1
448-IPP023N08N5AKSA1
SP001132482
Standardpakett
50
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IPW65R190E6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
IRFP260NPBF
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
IRFS7440PBF
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK