Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IPN60R1K0CEATMA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPN60R1K0CEATMA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12818273
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPN60R1K0CEATMA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
CoolMOS™ CE
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
6.8A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
280 pF @ 100 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
5W (Tc)
Töötemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PG-SOT223-3
Pakett / ümbris
TO-261-4, TO-261AA
Põhitoote number
IPN60R1
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IPN60R1K0CE
Tehnilised lehed
IPN60R1K0CEATMA1
HTML andmeleht
IPN60R1K0CEATMA1-DG
Lisainfo
Muud nimed
IPN60R1K0CEATMA1-DG
2156-IPN60R1K0CEATMA1TR
SP001434884
IPN60R1K0CEATMA1CT
IPN60R1K0CEATMA1DKR
IPN60R1K0CEATMA1TR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
CSD18502KCS
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
IRF6629TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRFR9120NTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
IRLR2905TRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK