Tootja Toote Number:
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPLK60R1K0PFD7ATMA1-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 5.2A (Tc) 31.3W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-52
Inventuur:
12976583
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPLK60R1K0PFD7ATMA1 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
CoolMOS™ PFD7
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
5.2A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
230 pF @ 400 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
31.3W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PG-TDSON-8-52
Pakett / ümbris
8-PowerTDFN
Põhitoote number
IPLK60
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
Tehnilised lehed
HTML andmeleht
Lisainfo
Muud nimed
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1CT
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1DKR
448-IPLK60R1K0PFD7ATMA1TR
SP005354001
Standardpakett
5,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
TKR74F04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
2N7002W
MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5
