Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
IPB120N06S403ATMA2
Product Overview
Tootja:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Osanumber:
IPB120N06S403ATMA2-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12800895
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
7
H
Y
j
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
IPB120N06S403ATMA2 Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Infineon Technologies
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
OptiMOS™
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 120µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
13150 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
167W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
PG-TO263-3-2
Pakett / ümbris
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Põhitoote number
IPB120
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
IPx120N06S4-03
Tehnilised lehed
IPB120N06S403ATMA2
HTML andmeleht
IPB120N06S403ATMA2-DG
Lisainfo
Muud nimed
448-IPB120N06S403ATMA2DKR
2156-IPB120N06S403ATMA2
SP001028770
448-IPB120N06S403ATMA2CT
IPB120N06S403ATMA2-DG
448-IPB120N06S403ATMA2TR
INFINFIPB120N06S403ATMA2
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
FDB86566-F085
TOOTJA
onsemi
KOGUS SAADAVAL
750
DiGi OSANUMBER
FDB86566-F085-DG
ÜHIKPRICE
1.76
ASENDAMISE TüÜP
Direct
Osa number
PSMN004-60B,118
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
8252
DiGi OSANUMBER
PSMN004-60B,118-DG
ÜHIKPRICE
1.22
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
BSO119N03S
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
IPD50N06S2L13ATMA1
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
IPD100N04S4L02ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
IPB033N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3