FCPF600N60Z
Tootja Toote Number:

FCPF600N60Z

Product Overview

Tootja:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Osanumber:

FCPF600N60Z-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventuur:

171833 tk Uus Originaal Laos
12947117
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

FCPF600N60Z Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Pakendamine
Bulk
Seeria
SuperFET® II
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
600 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
7.4A (Tc)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
10V
Rds sees (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1120 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
89W (Tc)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Through Hole
Tarnija seadme pakett
TO-220F-3
Pakett / ümbris
TO-220-3 Full Pack

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
FCPF600N60Z Datasheet

Lisainfo

Muud nimed
2156-FCPF600N60Z
ONSONSFCPF600N60Z
Standardpakett
235

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
international-rectifier

AUIRF4104STRL

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

stmicroelectronics

STB30NF20

MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDMS8027S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

nxp-semiconductors

PHB18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK