EPC2110ENGRT
Tootja Toote Number:

EPC2110ENGRT

Product Overview

Tootja:

EPC

DiGi Electronics Osanumber:

EPC2110ENGRT-DG

Kirjeldus:

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die

Inventuur:

Küsi hinda veebis
12795179
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita

EPC2110ENGRT Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
EPC
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
eGaN®
Toote olek
Active
Tehnoloogia
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual) Common Source
Funktsioon FET
-
Äravool allika pingesse (Vdss)
120V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3.4A
Rds sees (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 700µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
80pF @ 60V
Võimsus - Max
-
Töötemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
Die
Tarnija seadme pakett
Die
Põhitoote number
EPC211

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed
EPC2110
Tehnilised lehed
EPC2110ENGRT
HTML andmeleht
EPC2110ENGRT-DG

Lisainfo

Muud nimed
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
Standardpakett
2,500

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
DIGI sertifikaat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Seotud tooted
epc

EPC2106

GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

epc

EPC2105ENGRT

GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE

epc

EPC2108

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

epc

EPC2110

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE