Tootja Toote Number:
ZXMN6A08GQTA
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
ZXMN6A08GQTA-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 60 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Inventuur:
879 tk Uus Originaal Laos
12953807
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
ZXMN6A08GQTA Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
60 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3.8A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
459 pF @ 40 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klassi
Automotive
Kvalifikatsiooni
AEC-Q101
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-223-3
Pakett / ümbris
TO-261-4, TO-261AA
Põhitoote number
ZXMN6
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
ZXMN6A08GQTADITR-DG
ZXMN6A08GQTADICT-DG
ZXMN6A08GQTADIDKR-DG
31-ZXMN6A08GQTACT
ZXMN6A08GQTADITR
ZXMN6A08GQTADICT
31-ZXMN6A08GQTATR
ZXMN6A08GQTADIDKR
31-ZXMN6A08GQTADKR
Standardpakett
1,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
ZXMN6A08GTA
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
3489
DiGi OSANUMBER
ZXMN6A08GTA-DG
ÜHIKPRICE
0.23
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF840APBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IRFBC40ASTRRPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
NVTFS024N06CTAG
MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN