ZXMN3F30FHTA

Tootja Toote Number:

ZXMN3F30FHTA

Product Overview

Tootja:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Osanumber:

ZXMN3F30FHTA-DG

Kirjeldus:

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Üksikasjalik kirjeldus:

N-Channel 30 V 3.8A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventuur:

33442 tk Uus Originaal Laos

12905566

Küsi pakkumist

Kogus
Miinimum 1

(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul

Esita

ZXMN3F30FHTA Tehnilised spetsifikatsioonid

Kategooria

FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id

Tootja

Diodes Incorporated

Pakendamine

Tape & Reel (TR)

Seeria

-

Toote olek

Active

Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp

N-Channel

Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)

Äravool allika pingesse (Vdss)

30 V

Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C

3.8A (Ta)

Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)

4.5V, 10V

Rds sees (max) @ id, vgs

47mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs

7.7 nC @ 10 V

VGS (max)

±20V

Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds

318 pF @ 15 V

Funktsioon FET

-

Võimsuse hajutamine (max)

950mW (Ta)

Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kinnituse tüüp

Surface Mount

Tarnija seadme pakett

SOT-23-3

Pakett / ümbris

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Põhitoote number

ZXMN3

Tehnilised andmed ja dokumendid

Andmelehed

Tehnilised lehed

HTML andmeleht

ZXMN3F30FHTA-DG

Lisainfo

Muud nimed

ZXMN3F30FHTR

ZXMN3F30FHDKR

ZXMN3F30FHCT

Standardpakett

3,000

Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon

RoHS-i staatus

ROHS3 Compliant

Niiskustundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-i staatus

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI sertifikaat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Seotud tooted

diodes

ZVP1320A

MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3

diodes

ZXMN6A08E6TC

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26

diodes

ZVN4306AVSTOA

MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE

vishay-siliconix

IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP