Tootja Toote Number:
ZXMN3A03E6TA
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
ZXMN3A03E6TA-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 30 V 3.7A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6
Inventuur:
38939 tk Uus Originaal Laos
12887124
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
Miinimum 1
(*) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
ZXMN3A03E6TA Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
30 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
3.7A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
4.5V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
50mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
600 pF @ 25 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
1.1W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
SOT-23-6
Pakett / ümbris
SOT-23-6
Põhitoote number
ZXMN3
Tehnilised andmed ja dokumendid
Lisainfo
Muud nimed
31-ZXMN3A03E6TATR
ZXMN3A03E6DKRINACTIVE
ZXMN3A03E6TR
31-ZXMN3A03E6TACT
31-ZXMN3A03E6TADKR
ZXMN3A03E6CT
ZXMN3A03E6DKR
ZXMN3A03E6TR-NDR
ZXMN3A03E6CT-DG
ZXMN3A03E6TR-DG
ZXMN3A03E6DKR-DG
ZXMN3A03E6CT-NDR
Standardpakett
3,000
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
ZVP3310A
MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
ZXMN6A09KQTC
MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
ZXMP6A17GTA
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
