Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
ZXMN2A04DN8TA
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
ZXMN2A04DN8TA-DG
Kirjeldus:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Üksikasjalik kirjeldus:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Inventuur:
584 tk Uus Originaal Laos
12904074
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
ZXMN2A04DN8TA Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, FET, MOSFET massiivid
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
Tape & Reel (TR)
Seeria
-
Toote olek
Active
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguratsiooni
2 N-Channel (Dual)
Funktsioon FET
Logic Level Gate
Äravool allika pingesse (Vdss)
20V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
5.9A
Rds sees (max) @ id, vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
22.1nC @ 5V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
1880pF @ 10V
Võimsus - Max
1.8W
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Pakett / ümbris
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tarnija seadme pakett
8-SO
Põhitoote number
ZXMN2
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
ZXMN2A04DN8
Tehnilised lehed
ZXMN2A04DN8TA
HTML andmeleht
ZXMN2A04DN8TA-DG
Lisainfo
Muud nimed
ZXMN2A04DN8CT-NDR
ZXMN2A04DN8CT
ZXMN2A04DN8DKRINACTIVE
ZXMN2A04DN8TR
ZXMN2A04DN8DKR-DG
ZXMN2A04DN8TR-NDR
ZXMN2A04DN8DKR
Standardpakett
500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
DMC2450UV-13
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
DMP31D7LDW-13
MOSFET 2P-CH 0.55A SOT363
ZXMC4A16DN8TA
MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO
ZXMHC10A07T8TA
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8