Avaleht
Tooted
Tootjad
Teave DiGi
Võta meiega ühendust
Blogid ja postitused
Pakkumine/Quote
Estonia
Logi sisse
Valikuline keel
Praegune valitud keel:
Estonia
Lülita:
Inglise
Euroopa
Ühendkuningriik
Prantsusmaa
Hispaania
Türgi
Moldova
Leedu
Norra
Saksamaa
Portugal
Slovakkia
Itaalias
Soome
Vene
Bulgaaria
Taani
Eesti
Poola
Ukraina
Sloveenia
Tšehhi
Kreeka
Horvaatia
Iisrael
Serbia
Valgevene
Holland
Rootsi
Montenegro
Baski
Island
Bosnia
Ungari
Rumeenia
Austria
Belgia
Iirimaa
Aasia / Vaikse ookeani piirkond
Hiina
Vietnam
Indoneesia
Tai
Laos
Tagalogi
Malaisia
Korea
Jaapan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistani
Saudi Araabia
Katar
Kuveit
Kambodža
Myanmar
Aafrika, India ja Lähis-Ida
Araabia Ühendemiraadid
Tadžikistan
Madagaskar
India
Iraan
Kongo DV
Lõuna-Aafrika
Egiptus
Kenya
Tansaania
Ghana
Senegal
Maroko
Tuneesia
Lõuna-Ameerika / Okeaania
Uus-Meremaa
Angola
Brasiilia
Mosambiik
Peruu
Colombia
Tšiili
Venezuela
Ecuador
Boliivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austraalia
Põhja-Ameerika
Ameerika Ühendriigid
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mehhiko
Teave DiGi
Meist
Meist
Meie sertifikaadid
Sissejuhatus
Miks DiGi
Poliitika
Kvaliteedipoliitika
Kasutustingimused
RoHS-i vastavus
Tagastamise protsess
Ressursid
Tootekategooriad
Tootjad
Blogid ja postitused
Teenused
Kvaliteedi garantii
Makseviis
Globaalsed saated
Saatekulud
KKK
Tootja Toote Number:
ZXMN10A25K
Product Overview
Tootja:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Osanumber:
ZXMN10A25K-DG
Kirjeldus:
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
Üksikasjalik kirjeldus:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventuur:
Küsi hinda veebis
12905862
Küsi pakkumist
Kogus
Miinimum 1
*
Ettevõte
*
Kontaktisik
*
Telefon
*
E-post
KohDelivery Address
Sõnum
(
*
) on kohustuslik
Vastame teile 24 tunni jooksul
Esita
ZXMN10A25K Tehnilised spetsifikatsioonid
Kategooria
FET-id, MOSFET-id, Üksikud FET-id, MOSFET-id
Tootja
Diodes Incorporated
Pakendamine
-
Seeria
-
Toote olek
Obsolete
Tulevaste ja kujunemisjärgus tehnoloogiate tüüp
N-Channel
Tehnoloogia
MOSFET (Metal Oxide)
Äravool allika pingesse (Vdss)
100 V
Praegune - pidev äravool (Id) @ 25 °C
4.2A (Ta)
Sõidupinge (max rds sees, min rds sees)
6V, 10V
Rds sees (max) @ id, vgs
125mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Värava laeng (Qg) (max) @ Vgs
17.16 nC @ 10 V
VGS (max)
±20V
Sisendmahtuvus (Ciss) (max) @ Vds
859 pF @ 50 V
Funktsioon FET
-
Võimsuse hajutamine (max)
2.11W (Ta)
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kinnituse tüüp
Surface Mount
Tarnija seadme pakett
TO-252-3
Pakett / ümbris
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tehnilised andmed ja dokumendid
Andmelehed
ZXMN10A25K
Tehnilised lehed
ZXMN10A25K
HTML andmeleht
ZXMN10A25K-DG
Lisainfo
Muud nimed
ZXMN10A25KDKR
ZXMN10A25KTR
981-ZXMN10A25K
ZXMN10A25KCT
Standardpakett
2,500
Keskkonna- ja ekspordiklassifikatsioon
RoHS-i staatus
ROHS3 Compliant
Niiskustundlikkuse tase (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-i staatus
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatiivsed mudelid
Osa number
AOD2922
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
28569
DiGi OSANUMBER
AOD2922-DG
ÜHIKPRICE
0.16
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
AOD478
TOOTJA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOGUS SAADAVAL
0
DiGi OSANUMBER
AOD478-DG
ÜHIKPRICE
0.21
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
BSP89,115
TOOTJA
Nexperia USA Inc.
KOGUS SAADAVAL
11918
DiGi OSANUMBER
BSP89,115-DG
ÜHIKPRICE
0.15
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
Osa number
ZXMN10A25KTC
TOOTJA
Diodes Incorporated
KOGUS SAADAVAL
4733
DiGi OSANUMBER
ZXMN10A25KTC-DG
ÜHIKPRICE
0.47
ASENDAMISE TüÜP
Parametric Equivalent
Osa number
AUIRLR3410TR
TOOTJA
International Rectifier
KOGUS SAADAVAL
8000
DiGi OSANUMBER
AUIRLR3410TR-DG
ÜHIKPRICE
1.14
ASENDAMISE TüÜP
MFR Recommended
DIGI sertifikaat
Seotud tooted
IRF720STRRPBF
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
IRFI840G
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
IRFR320TRPBF
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
ZXM64N02XTA
MOSFET N-CH 20V 5.4A 8MSOP